Nguyễn Thành Tiên * , Nguyễn Duy Khánh , Phạm Hải Dương Phạm Thị Bích Thảo

* Tác giả liên hệ (nttien@ctu.edu.vn)

Abstract

In this reseach, we investigated the distribution of electron gas in the ground state and the first excited state in semi-parabolic quantum wells structure based on the polar materials. We have defined confinement potentials and computed the average energy of an electron by variational method, from which we have determined variational parameters in order to investigate the distribution of electron gas. Especially, this study have identified the role of polarization to the quantum confinement effect of two-dimensional electron gas in the semi-parabolic quantum well based on modulation doping AlN/GaN/AlxGa1-xN material. The obtained results showed that the electronic gas distribution was dominated by the polarization charges existing in the adjacent layers of heterostructure.
Keywords: Low-dimensional structure, quantum confinement, semi-parabolic quantum well, two-dimensional electron gas, optical absorption, modulation doping

Tóm tắt

Trong nghiên cứu này, chúng tôi khảo sát sự phân bố khí điện tử ở trạng thái cơ bản và trạng thái kích thích thứ nhất trong cấu trúc giếng lượng tử bán parabol dựa trên vật liệu có tính phân cực điện. Chúng tôi đã xác định các thế giam cầm và tính giá trị năng lượng trung bình ứng với một electron bằng phương pháp biến phân, từ đó xác định các tham số biến phân để khảo sát sự phân bố khí điện tử. Đặc biệt, nghiên cứu đã xác định được vai trò của phân cực điện đến hiệu ứng giam giữ lượng tử khí điện tử hai chiều trong cấu trúc giếng lượng tử bán parabol hình thành dựa trên hệ vật liệu AlN/GaN/AlGaN pha tạp điều biến. Kết quả nhận được cho thấy sự phân bố khí điện tử bị chi phối mạnh bởi các điện tích phân cực tồn tại ở tiếp giáp dị chất.
Từ khóa: Cấu trúc thấp chiều, giam cầm lượng tử, giếng lượng tử bán parabol, khí điện tử hai chiều, hiện tượng hấp thụ quang, pha tạp điều biến

Article Details

Tài liệu tham khảo

Alferov Z. I., (2001), The double heterostructure concept and its applications in physics, electronics, and technology, Review Modern Physics, 73, 767.

Bratati Mukhopadhyay and P. K. Basu (2004), Linewidth for interconduction subband transition in Si/Si1-xGex quantum wells, Phys. stat. sol.(b) 241, No. 8, 1859 – 1864.

B.R.Nag, (2000), Physics of Quantum Well Devices, INSA Senior Scientist, Institute of Radio Physics and Electronics, Calcutta University, Calcutta, India.

Carlo Sittori and Federico Capasso, (1991), Observation of large second order susceptibility via intersuband transitions at λ~10 µm in asymmetric cotipled AllnAs/GalnAs quantum wells. AT&T Bell Laboratories, Murray Hill, New Jersey 07974.

Guang-Hui Wang and et al. (2003), Refractive Index Changes Induced by the Incident Optical Intensity in Semiparabolic Quantum Wells, Chinese journal of physics vol. 41 , No. 3.

Kelin J.Kuhn and et al. (2013), Free carrier induced changes in the absorption and refractive index for intersubband optical transitions in AlxGa1-xAs/ GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells, Journal of Applied Physics, 70, 5010.

Li Zhang and Hong-Jing Xie, (2003), Electric field effect on the second-order nonlinear optical properties of parabolic and semi-parabolic quantum wells, Physical Review B 68, 235315.

Quang D. N and et al. (2008), Electron mobility in Gaussian heavily doped ZnO surface quantum wells, 77, 125326.

Roberto P, (2006), Intersubband transitions in quantum structures, McGraw - Hill Press.

Stephen P., (2012), GaN and ZnO-based Materials and Devices, Springer Series in Materials Science.

Thao D. N., and Tien N. T., (2012), Electron distribution in AlGaN/GaN modulation-doped heterostructures, Communications in Physics, Vol. 22, No. 4, 327.

Wojtowicz T and et al. (1996), Proc. XXV Int. School of Semiconducting Compounds, Acta. Phys. Pol., A90977.

Wojtowicz T and et al. (1997), Proc. XXVI Int. School of Semiconducting Compounds, Acta Phys. Pol., A92887.

Wojtowicz T and et al. (1997), Thin Solid Films, 306 271.