Phạm Thị Bích Thảo * , Nguyễn Duy Khánh Nguyễn Thành Tiên

* Tác giả liên hệ (ptbthao@ctu.edu.vn)

Abstract

In this research, the binding energy of a Wannier exciton in the parabolic quantum wells with uniform magnetic field applied along growth direction was calculated by using variational method. The formulation has been performed in the framework of the effective mass approximation and two-bands model. From the analytical results, we have been programmed in order to compute for the binding energy of excitons depending on parameters of system (well width L and magnetic field B). We also investigated the effect of well width and magnetic field to on the forming formation of excitons.
Keywords: Parabolic quantum well, exciton, binding energy, variational method

Tóm tắt

Trong nghiên cứu này, chúng tôi tính năng lượng liên kết của exciton Wannier trong giếng lượng tử parabol đặt trong từ trường đều dọc theo hướng nuôi sử dụng phương pháp biến phân. Chúng tôi đã thực hiện các quá trình tính toán trong gần đúng khối lượng hiệu dụng và mô hình hai vùng. Từ kết quả tính giải tích này, chúng tôi lập trình để tính năng lượng liên kết exciton theo các thông số của hệ (độ rộng giếng L và từ trường ngoài B). Chúng tôi cũng khảo sát ảnh hưởng của từ trường và độ rộng giếng vào sự hình thành exciton.
Từ khóa: Giếng lượng tử parabol, exciton, năng lượng liên kết, phương pháp biến phân

Article Details

Tài liệu tham khảo

D. A. B. Miller et al., 1984. Band – edge electroabsorption in quantum well structures. Physical review letters. 53, 22.

E. Kasapoglu et al., 2000. Excitonic structure in a quantum well under the tilted magnetic field. Journal of Applied Physics. 88, 2671.

F. Kyrychenko and J. Kossut, 1998. Excitons in parabolic quantum well. Seminconductor Science and Technology. 13, 1076 – 1079.

H.M. Cheong et al., 1994. Hydrostatic-pressure dependence of band offsets in GaAs/AlxGa1xAs heterostructures. Physical Review B. 49, 10444.

J. Diouri et al., 2003. Parameterized equations for excitons in two – dimensional semiconductor quantum wells with arbitrary potential profiles. Semiconductor Science and Technology. 18, 377.

L.C. Andreani and A. Pasquarello, 1994. Accurate theory of excitons in GaAs-Ga1-xAlxAs quantum wells. Physical Review B. 42, 8928.

P. Harrison et al., 1996. The symmetry of the relative motion of excitons in semiconductor heterostructures. Superlattice and Microstructures. 20, 45-57.

R. Winkler, 1995. Excitons and fundamental absorption in quantum wells. Physical Review B. 51, 14395.

S. Jaziri and R. Bernaceur, 1994. Excitons in parabolic quantum dots in electric and magnetic fields. Semiconductor Science and Technology. 9, 1775.

T.M Rusin, 2000. The energy of excitons in parabolic quantum wells investigated by effective variational Hamiltonian method. Condensed Matter. 12, 575-587.

Yuen Wu-Pen, 1993. Exact analytic analysis of finite parabolic quantum wells with and without a static electric field. Physical Review B. 48, 17316.