Lương Văn Tùng *

* Tác giả liên hệ (lvt1961@yahoo.com.vn)

Abstract

In this study we apply the quantum dynamics equation for the electron distribution function in semiconductor superlattices components under the effect of an electromagnetic field with frequency w, amplitude  and a laser pulse frequency W, amplitude .  To solve this equation we have obtained analytical expressions for the constant electric field intensity of horizontal stimulation optical effects. Based on numerical computing results by using the Matlab software, we have obtained the dependence of the electromagnetic field on the temperature as well as the parameters of the magnetic field puting on the material.
Keywords: Optical stimulation effects, semiconductor superlattice, completely degenerate, carrier distribution function, phonon

Tóm tắt

Trong nghiên cứu này chúng tôi áp dụng phương pháp phương trình động lượng tử cho hàm phân bố mật độ electron dẫn trong bán dẫn siêu mạng hợp phần dưới tác dụng của trường điện từ tần số w, biên độ  và một xung laser cao tần tần số W biên độ  . Giải phương trình này chúng tôi đã thu được biểu thức giải tích của cường độ điện trường không đổi xuất hiện trong vật liệu do hiệu ứng quang kích thích ngang gây ra. Khảo sát tính số bằng phần mềm toán học Matlab đã thu được sự phụ thuộc của điện trường không đổi này vào nhiệt độ cũng như các tham số khác của trường điện từ đặt vào vật liệu.
Từ khóa: Hiệu ứng quang kích thích, bán dẫn siêu mạng, suy biến hoàn toàn, hàm phân bố hạt tải, phonon

Article Details

Tài liệu tham khảo

A.L. Tronconi and O.A. Nunces, 1986. Theory of the excitation and amplification of longitudinal-optical phonons in degenarate semiconductors under an intense laser field, Phys, Rev. B (33), pp 4125-4131.

Bui Duc Hung, Nguyen Vu Nhan, Luong Van Tung, and Nguyen Quan Bau, 2012. Photostimulated quantum effects in quantum wells with a parabolic potenial. Proc. Natl. Conf. Theor. Phys. 37, pp. 168-173

E.M. Ephshtein, Izv. Vuzov, 1975. Radiofizika. Fiz. Tekh. Poluprov.

G.M.Shmelev, G.I.Tsuùkan, and E.M. Ephshtein, 1982. Photostimulated Radioelectrical Transverse Effect in Semiconductors. Phys. stat. sol. (b) 109, K53.